دیتاشیت IPT007N06N
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | IPT007N06N |
---|---|
حجم فایل | 32.709 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 12 |
دانلود دیتاشیت IPT007N06N |
IPT007N06N Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPT007N06N
- Power Dissipation (Pd): 375W
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Continuous Drain Current (Id): 300A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.3V@260uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.75mΩ@10V,150A
- Package: HSOF-8-1
- Manufacturer: Infineon Technologies